碳化硅工艺设备
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碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 - 雪球
2022年1月4日 碳化硅3个常识点 ：. 1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！. 2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。 01 切割. 切 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎专栏2020年12月25日 碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。 碳化硅器件 国内碳化硅产业链！ - 电子工程专辑 EE Times China
8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 国际上8英寸SiC单晶衬底研制成功已有报道，但尚未有产品投放市场。. 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不 2022年12月15日 环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽 ...2022年12月1日 碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。 图2 碳化硅高能离子注入设备示意图 （来源：《 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - eefocus
